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2N2222
2N2222
CHARACTERISTICS
- NPN transistor (single P doped layer embedded between two N doped layers)
- Bipolar junction transistor (BJT)
- Current controlled transistor
- Collector current : 800 mA
- Power Dissipation : 500mW
- Operation T° -65°C to 200°C
- Collector base voltage : 60 VDC
- Collector Emitter Voltage : 30 VDC
- Emitter Base voltage : 5 VDC
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