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2N2222
Différences
Ci-dessous, les différences entre deux révisions de la page.
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| + | ===== CHARACTERISTICS ===== | ||
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| + | * NPN transistor (single P doped layer embedded between two N doped layers) | ||
| + | * Bipolar junction transistor (BJT) | ||
| + | * Current controlled transistor | ||
| + | * Collector current : 800 mA | ||
| + | * Power Dissipation : 500mW | ||
| + | * Operation T° -65°C to 200°C | ||
| + | * Collector base voltage : 60 VDC | ||
| + | * Collector Emitter Voltage : 30 VDC | ||
| + | * Emitter Base voltage : 5 VDC | ||
| + | |||
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